特許

J-GLOBAL ID：200903023540859715

III族窒化物半導体の製造方法及びIII族窒化物半導体素子

発明者： 加地 徹 ,  中野 由崇
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-373823
公開番号（公開出願番号）：特開2002-176004
出願日： 2000年12月08日
公開日（公表日）： 2002年06月21日
要約：

【要約】【課題】イオン打ち込みによるIII族窒化物半導体の不純物活性化率の向上。【解決手段】III族窒化物半導体に例えばGe+イオンを打ち込みn型にする際、N+イオンを同時に打ち込み、表面をSiO2で被覆した上、熱アニールをする。これによりGe原子のGa原子位置への置換と、N原子の空孔発生の抑制を十分に行い、不純物Ge原子のドナーとしての活性を向上させることができる。p型のIII族窒化物半導体領域を形成するには例えばMg+イオンをN+イオンと同時に打ち込み、表面をSiO2で被覆した上、熱アニールをすれば良い。

請求項（抜粋）：

その主たる構成元素以外の元素をイオン注入したIII族窒化物半導体の製造方法において、前記主たる構成元素以外の元素に加え、窒素をイオン注入することを特徴とするIII族窒化物半導体の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/265 601 ,  C23C 14/48 ,  H01L 29/205 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/737 ,  H01L 21/331

FI (5件)：

H01L 21/265 601 A ,  C23C 14/48 Z ,  H01L 29/205 ,  H01L 29/48 H ,  H01L 29/72 H

Fターム (24件)：

4K029AA04 ,  4K029AA24 ,  4K029BA01 ,  4K029BD01 ,  4K029CA10 ,  4K029EA08 ,  4K029GA01 ,  4K029GA03 ,  4M104AA04 ,  4M104BB02 ,  4M104BB06 ,  4M104CC03 ,  4M104DD26 ,  4M104DD79 ,  4M104FF13 ,  4M104GG03 ,  5F003BJ93 ,  5F003BM02 ,  5F003BM03 ,  5F003BP08 ,  5F003BP21 ,  5F003BP23 ,  5F003BP31 ,  5F003BP41

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 揮発性化学種を有する半導体材料中の表層欠陥を減少させる方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-325048   出願人：エイチイー・ホールディングス・インコーポレーテッド・ディービーエー・ヒューズ・エレクトロニクス
• 特開平1-073615
  
• p型GaN系化合物半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-328958   出願人：古河電気工業株式会社
• 特開昭62-243323
  

審査官引用 (4件)

• 揮発性化学種を有する半導体材料中の表層欠陥を減少させる方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-325048   出願人：エイチイー・ホールディングス・インコーポレーテッド・ディービーエー・ヒューズ・エレクトロニクス
• 特開平1-073615
  
• p型GaN系化合物半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-328958   出願人：古河電気工業株式会社
• 特開昭62-243323