特許
J-GLOBAL ID：200903008982173260
集積型薄膜光電変換装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-291505
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135493
出願日： 1996年11月01日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：
【要約】【課題】 大きな面積を有するにもかかわらず低コストで製造し得る高性能でかつ高い信頼性の集積型薄膜光電変換装置を提供する。【解決手段】 基板(3)上の第1電極層(5),半導体層(9)および第2電極層(13)が平行な複数の分割線(7,17,19)によって複数の光電変換セルに分割されかつそれらのセルが電気的に直列接続された集積型薄膜光電変換であって、分割線(37)の各々は実質的に等しい長さを有する複数の分離溝区分(171,172,173)を含み;分離溝区分の各々は隣接する区分の端部と重複する長さの重複長さ端部を含み;隣接する区分間の両方の区分の重複長さ端部を短い横断分離溝(191,192)によって横断されていることを特徴としている。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に順次積層された第1電極層,半導体光電変換層および第2電極層が複数の光電変換セルを形成するように実質的に直線状で互いに平行な複数の分割線によって分割されていてかつそれらの複数のセルが電気的に直列接続された集積型薄膜光電変換装置において、第1電極層を分割する分割線と第2電極層を分割する分割線の少なくとも一方の分割線の各々は複数の分離溝区分を含み、それらの分離溝区分の各々は隣接する分離溝区分の端部と重複する長さの重複長さ端部を含み、隣接する2つの分離溝区分間において両方の分離溝区分の重複長さ端部が短い横断分離溝によって横断されていることを特徴とする集積型薄膜光電変換装置。
引用特許：
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