特許

J-GLOBAL ID：200903009041332630

半導体レーザ

発明者： 吉田 浩 ,  小沢 正文 ,  東條 剛 ,  内田 史朗 ,  平田 照二 ,  市村 功
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-143219
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332341
出願日： 1999年05月24日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】【課題】 使用するシステムで要求される定格光出力において量子ノイズの十分な低減を図ることができる、窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザを提供する。【解決手段】 窒化物系III-V族化合物半導体を用い、共振器の端面から光出力を取り出す端面発光型の半導体レーザにおいて、共振器長をL(cm)、前方端面反射率をRf 、後方端面反射率をRr 、共振器長方向に対して垂直方向の光閉じ込め係数をΓ、利得係数をB(cm2 )、内部損失をαi (cm-1)、透明キャリア密度をN0 (cm-3)としたとき、-115>20Log[A(2(N0 +αi /(ΓB))/Ln(1/(RfRr ))+1/(ΓBL))(1+(Rf /Rr )1/2 (1-Rr )/(1-Rf ))]を満たすようにする。

請求項（抜粋）：

窒化物系III-V族化合物半導体を用い、共振器の端面から光出力を取り出す端面発光型の半導体レーザにおいて、共振器長をL(cm)、前方端面反射率をRf 、後方端面反射率をRr 、共振器長方向に対して垂直方向の光閉じ込め係数をΓ、利得係数をB(cm2 )、内部損失をαi (cm-1)、透明キャリア密度をN0 (cm-3)としたとき、-115>20Log[A(2(N0 +αi /(ΓB))/Ln(1/(RfRr ))+1/(ΓBL))(1+(Rf /Rr )1/2 (1-Rr )/(1-Rf ))]を満たすことを特徴とする半導体レーザ。

IPC (4件)：

H01S 5/028 ,  H01S 5/10 ,  H01S 5/323 ,  H01L 33/00

FI (4件)：

H01S 3/18 618 ,  H01S 3/18 640 ,  H01S 3/18 673 ,  H01L 33/00 C

Fターム (19件)：

5F041AA14 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CB15 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073BA06 ,  5F073BA07 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB10 ,  5F073DA05 ,  5F073EA27

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 窒化物化合物半導体レーザ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-038325   出願人：株式会社東芝
• 半導体レーザー装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-071900   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体レーザ装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-331498   出願人：松下電子工業株式会社