特許
J-GLOBAL ID：200903076419224725

窒化物化合物半導体レーザ及びその製造方法

発明者：
小野村 正明

小野村 正明 について

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波多腰 玄一

波多腰 玄一 について

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布上 真也

布上 真也 について

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石川 正行

石川 正行 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-038325
公開番号（公開出願番号）：特開平10-294533
出願日： 1998年02月20日
公開日（公表日）： 1998年11月04日
要約：
【要約】【課題】活性層へキャリア注入を効率的に且つ均一に行うと共に基本横モード以外の高次モードを抑制することができ、低閾値電流、低動作電圧、低雑音特性で連続発振する信頼性の高い窒化物化合物半導体レーザを提供すること。【解決手段】サファイア基板101上に、活性層105を導電型の異なる半導体層で挟んだ半導体レーザにおいて、p側電極109と共にメサ型に形成された電流挙窄構造の側面にはポリイミド111の電流ブロックと光閉じ込めのための構造が形成されている。
請求項（抜粋）：
窒化ガリウム系化合物半導体(Gax Iny Alz N:x+y+Z=1、0≦x、y、z≦1)からなり、活性層を導電型の異なる半導体層で挟んだ半導体レーザにおいて、該活性層の上部に形成され該活性層にキャリアを注入するための電流狭窄構造がメサ型に形成され、該メサ型電流狭窄構造の側面は絶縁物の電流ブロック層で覆われていることを特徴とする窒化物化合物半導体レーザ。
IPC (2件)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00
FI (2件)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C
引用特許：
審査官引用 (23件)
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