特許
J-GLOBAL ID：200903009094562140
窒化物半導体基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 寛幸 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-141302
公開番号（公開出願番号）：特開2002-343718
出願日： 2001年05月11日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
要約：
【要約】【課題】 結晶性が良好で亀裂や反りのない良質の窒化物半導体基板を高い生産性で製造することができる窒化物半導体基板の製造方法を提供する【解決手段】 サファイア基板11上にAlN緩衝層12とGaN層13をMOVPE法により順次成長させた後、サファイア基板11と成長層との界面付近を中心としたイオン注入領域14にSiのイオン注入を行う。次に、HVPE法によりGaN厚膜15を成長させる。その後の冷却過程でGaN厚膜15をイオン注入領域14においてサファイア基板11から剥離する。その後、GaN厚膜15の裏面を研磨して平坦化し、GaN基板を得る。
請求項（抜粋）：
母材基板上に窒化物半導体厚膜を形成することにより窒化物半導体基板を製造する方法であって、前記母材基板の所定領域にイオン注入する第1の工程と、前記母材基板上に窒化物半導体厚膜を形成する第2の工程と、前記窒化物半導体厚膜を前記母材基板から剥離させて窒化物半導体基板とする第3の工程とを含むことを特徴とする窒化物半導体基板の製造方法。
Fターム (9件)：
5F045AA04
, 5F045AB14
, 5F045AD10
, 5F045AD14
, 5F045AF09
, 5F045BB12
, 5F045BB13
, 5F045DA53
, 5F045HA05
