珪素含有化合物、レジスト組成物およびパターン形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：奥山尚一 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-095990
公開番号（公開出願番号）：特開2001-278918
出願日： 2000年03月31日
公開日（公表日）： 2001年10月10日
要約：

【要約】【課題】高感度、高解像度を有し、特に高アスペクト比のパターンを形成するのに適した2層レジスト法の材料として好適に使用できるのみならず、耐熱性に優れたパターンを形成することができる化学増幅ポジ型レジスト材料のベースポリマーとして有用な新規高分子シリコーン化合物及び該化合物をベースポリマーとして含有する化学増幅ポジ型レジスト材料並びにパターン形成方法を提供する。【解決手段】一般式(1)〜(3)から選ばれる一以上の珪素含有置換基を含む化合物を提供する。【化1】

請求項（抜粋）：

一般式(1)〜(3)から選ばれる一以上の珪素含有置換基を含み、重量平均分子量が2,000〜1,000,000の高分子化合物。【化1】(上式中、R1、R2は、各式ごとにそれぞれ独立に水素原子又は炭素数1〜20のアルキル基を表し、R3、R4、R5は、各式ごとにそれぞれ独立に炭素数1〜20のアルキル基、ハロアルキル基、炭素数6〜20のアリール基、又は式中の珪素原子とシロキサン結合で結合している珪素含有基を表し、R3、R4、R5の少なくとも一つが珪素含有基である。)

IPC (9件)：

C08F 30/08 , C08F 32/00 , C08K 5/00 , C08L 43/04 , C08L 45/00 , G03F 7/039 601 , G03F 7/075 511 , G03F 7/40 521 , H01L 21/027

FI (9件)：

C08F 30/08 , C08F 32/00 , C08K 5/00 , C08L 43/04 , C08L 45/00 , G03F 7/039 601 , G03F 7/075 511 , G03F 7/40 521 , H01L 21/30 502 R

Fターム (58件)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AA09 , 2H025AA12 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC05 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE07 , 2H025BE10 , 2H025BF30 , 2H025BG00 , 2H025CB34 , 2H025CB43 , 2H025CB45 , 2H025CB52 , 2H025CB55 , 2H025CC03 , 2H025CC20 , 2H025FA17 , 2H025FA41 , 2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096DA01 , 2H096EA03 , 2H096EA05 , 2H096EA06 , 2H096EA07 , 2H096FA01 , 2H096GA08 , 2H096HA24 , 4J002BK001 , 4J002BK002 , 4J002BQ001 , 4J002BQ002 , 4J002FD202 , 4J002GP03 , 4J100AB07P , 4J100AE09P , 4J100AK32Q , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100AL51P , 4J100AQ07P , 4J100AR09P , 4J100AR11P , 4J100BA15P , 4J100BA80P , 4J100BC53Q , 4J100CA01 , 4J100CA04 , 4J100CA23 , 4J100DA01 , 4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開昭63-216044
特開昭62-073250
特開昭63-095207

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