特許
J-GLOBAL ID：200903009185410431
窒化物半導体の製造方法とこれを利用した窒化物半導体
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-120118
公開番号（公開出願番号）：特開2005-183905
出願日： 2004年04月15日
公開日（公表日）： 2005年07月07日
要約：
【課題】本発明は窒化物半導体の製造方法及びこれを利用した窒化物半導体に関するものである。 【解決手段】本発明により、サファイア基板102に自己組織化金属層を形成する。上記自己組織化金属層を有するサファイア基板102を加熱し、該サファイア基板102の表面を不規則に露出させるよう自己組織化金属を凝結させる。上記自己組織化金属凝結体(cluster)をマスクとして上記サファイア基板102の露出した部分をプラズマでエッチングする。上記自己組織化金属の凝結体をウェットエッチングで除去する。本発明はナノ寸法の凹凸構造をサファイア基板102の表面に形成し、サファイア基板102と窒化物半導体層間112〜118の量子効率を増大させながら、これら同士のストレスとそれに伴う転位を減少させることができる。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
窒化物半導体の製造方法において、
(イ)サファイア基板に自己組織化金属層を形成する段階と、
(ロ)上記自己組織化金属層を有するサファイア基板を加熱し、上記サファイア基板の表面を不規則に露出させるよう自己組織化金属を凝結させナノ寸法の金属凝結体(cluster)を形成する段階と、
(ハ)上記自己組織化金属凝結体(cluster)をマスクとして上記サファイア基板の露出した部分をプラズマでエッチングしてナノ寸法の凹凸構造をサファイア基板の表面に形成する段階と、
(ニ)上記自己組織化金属凝結体をウェットエッチングにより除去する段階と、
を有することを特徴とする窒化物半導体の製造方法。
IPC (3件)：
H01L21/205
, H01L21/3065
, H01L33/00
H01L21/205
, H01L33/00 C
, H01L21/302 105A
5F004AA09
, 5F004BA04
, 5F004DA00
, 5F004DB00
, 5F004EA40
, 5F004EB08
, 5F004FA01
, 5F041AA40
, 5F041CA02
, 5F041CA40
, 5F041CA74
, 5F045AA03
, 5F045AB14
, 5F045AF09
, 5F045BB12
