特許
J-GLOBAL ID：200903037556235917

半導体結晶の製造方法

発明者：
柴田 真佐知

柴田 真佐知 について


出願人/特許権者：
日立電線株式会社

日立電線株式会社 について


代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-240385
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050586
出願日： 2000年08月03日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：
【要約】【課題】 種々の基板の上に高品質なGaN系結晶を成長させることができる半導体結晶の製造方法を提供する。【解決手段】 基板1の表面を一旦多孔質状に加工した後、その多孔質層2の上に窒化物結晶3を成長させることにより、低温成長バッファ層が無くても高品質なGaN層を成長させることができる。
請求項（抜粋）：
III 族窒化物以外の基板の表面に多孔質層を形成し、その多孔質層の上にIII 族窒化物単結晶層を成長させることを特徴とする半導体結晶の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323
FI (3件)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323
Fターム (34件)：
5F041AA40 ,  5F041CA33 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA77 ,  5F045AA03 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC02 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AE29 ,  5F045AF02 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF12 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DB02 ,  5F045HA01 ,  5F045HA02 ,  5F045HA03 ,  5F045HA11 ,  5F073CA01 ,  5F073CB02 ,  5F073CB04 ,  5F073CB05 ,  5F073DA28 ,  5F073EA29
引用特許：
審査官引用 (4件)
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