特許
J-GLOBAL ID：200903009197089965

プラズマ処理方法及び装置

発明者：
渡辺 利幸

渡辺 利幸 について

, 
宝珍 隆三

宝珍 隆三 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 石原 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-001932
公開番号（公開出願番号）：特開2000-200698
出願日： 1999年01月07日
公開日（公表日）： 2000年07月18日
要約：
【要約】【課題】 低圧力下で大面積にわたり高周波電力効率が良好で、均一な高密度プラズマを発生させることができるプラズマ処理方法及び装置を提供する。【解決手段】 高周波誘導結合用コイル2に高周波電力を印加することにより、真空室4の一面を封止する誘電体1を介して真空室4内にプラズマを発生させ、基板8を処理するプラズマ処理方法及び装置において、板状部1aと1又は複数の梁1b〜1iで一体的に構成したハニカム状の誘電体1を配設し、誘電体からなっても必要な面強度を確保できるようにし、金属製の梁による高周波電力の損失や部分的な遮蔽を無くした。
請求項（抜粋）：
真空室の一面をハニカム状の誘電体で封止し、この誘電体を介して高周波誘導により真空室にプラズマを発生させ、基板を処理することを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (4件)：
H05H 1/46 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31
FI (4件)：
H05H 1/46 L ,  C23C 16/50 C ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/302 B
Fターム (19件)：
4K030KA15 ,  4K030KA18 ,  4K030KA28 ,  4K030KA30 ,  5F004AA01 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004BB29 ,  5F004BC01 ,  5F004CA06 ,  5F045AA08 ,  5F045BB01 ,  5F045EB02 ,  5F045EB03 ,  5F045EB10 ,  5F045EC05 ,  5F045EH02 ,  5F045EH04 ,  5F045EH11
引用特許：
出願人引用 (5件)
  • プラズマ処理方法及び装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-183067   出願人：松下電器産業株式会社
  • 特開平4-048720
  • プラズマ処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-048887   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立エンジニアリングサービス
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審査官引用 (5件)
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