特許
J-GLOBAL ID：200903009199607041
薄膜トランジスタおよびその製造方法とそれを用いた液晶表示装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-313963
公開番号（公開出願番号）：特開平10-154815
出願日： 1996年11月25日
公開日（公表日）： 1998年06月09日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、ドレイン領域部およびソース領域部と各電極との配線抵抗を少なくして良好なコンタクトがとれるようにするとともに、ドレイン電極と画素電極とのコンタクトも良好にすることができる薄膜トランジスタおよびその製造方法とそれを用いた液晶表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明は、チャネル生成部61の両側をソース領域部63とドレイン領域部62で挟んで構成される半導体部60と、ITOからなる透明の画素電極54と、Cr、Mo、Ta、Wのいずれかからなるドレイン電極57およびソース電極58と、チャネル生成部上にゲート絶縁層58を介して設けられたゲート電極68を具備してなり、前記ドレイン領域部およびソース領域部の電極との接続部分に前記のいずれかの元素を拡散させて形成したシリサイド層64、65が形成されてなることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
基板上に形成され、チャネル生成部の両側をソース領域部とドレイン領域部で挟んで構成されるシリコン半導体部と、前記チャネル生成部上にゲート絶縁層を介して設けられたゲート電極と、前記基板上に前記半導体部と離間して形成されたITOからなる画素電極と、前記画素電極と前記ドレイン領域部とを電気的に接続するドレイン電極と、前記ソース領域部と離間して形成されたソース配線と、該ソース配線と前記ソース領域部とを電気的に接続するソース電極とを具備し、該ソース電極及び前記ドレイン電極をスズより酸化されにくくかつシリコンと合金化可能な金属により形成し、前記ドレイン電極と前記ドレイン領域部との接続部および前記ソース電極と前記ソース領域部との接続部を、前記金属とシリコンとのシリサイドで形成したことを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (4件)：
H01L 29/786
, G02F 1/1343
, G02F 1/136 500
, H01L 21/336
H01L 29/78 616 V
, G02F 1/1343
, G02F 1/136 500
, H01L 29/78 612 C
, H01L 29/78 616 K
, H01L 29/78 616 L
, H01L 29/78 627 F
