特許
J-GLOBAL ID：200903009212122060

不揮発性半導体記憶装置およびメモリシステム

発明者：
田中 智晴

田中 智晴 について

, 
竹内 健

竹内 健 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-335707
公開番号（公開出願番号）：特開平10-177799
出願日： 1996年12月16日
公開日（公表日）： 1998年06月30日
要約：
【要約】【課題】冗長行や冗長列に欠陥メモリセルを置き換えるための回路を必要とせず、製造工程の短い不揮発性半導体記憶装置を提供することを目的としている。【解決手段】メモリセルアレイ1は、電気的にデータの書き換えが可能な複数のメモリセルMCがマトリクス状に配列されて構成される。前記複数のメモリセルのうち一部のメモリセルに、複数のメモリセルの中の欠陥メモリセルの位置あるいは領域を記憶させ、この一部のメモリセルに記憶されているデータを、パワーオン検出回路9から出力されるパワーオン信号に応答して読み出すことを特徴とする。メモリセルアレイ1中の欠陥メモリセルの位置をメモリセルアレイ1の一部に記憶させ、その情報に基づいて欠陥メモリセルを使用しないように制御するので、欠陥メモリセルを救済するために冗長行あるいは冗長列を設ける必要はなく、且つその置き換えを制御するための回路も不要になり、製造工程も短縮できる。
請求項（抜粋）：
電気的にデータの書き換えが可能な複数のメモリセルが複数の行および複数の列を形成しマトリクス状に配列されたメモリセルアレイと、前記複数のメモリセルのうち一部のメモリセルに、前記複数のメモリセルの中の欠陥メモリセルの位置あるいは領域を記憶させる手段と、電源電圧が投入されたことを検出してパワーオン信号を出力するパワーオン検出回路と、前記複数のメモリセルの中の前記欠陥メモリセルの位置あるいは領域が記憶されている前記一部のメモリセルのデータを、前記パワーオン信号に応答して読み出す手段とを具備したことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G11C 29/00 605 ,  G11C 16/02
FI (2件)：
G11C 29/00 605 Z ,  G11C 17/00 601 Z
引用特許：
審査官引用 (4件)
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