特許
J-GLOBAL ID：200903009226179820

半導体装置の製造方法及び基板処理装置

発明者：
野村 久志

野村 久志 について

, 
堀井 貞義

堀井 貞義 について

, 
浅井 優幸

浅井 優幸 について


出願人/特許権者：
株式会社日立国際電気

株式会社日立国際電気 について


代理人 (3件)： 油井 透 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-193242
公開番号（公開出願番号）：特開2004-039788
出願日： 2002年07月02日
公開日（公表日）： 2004年02月05日
要約：
【課題】リモートプラズマを用いたクリーニングでありながら、反応室内に付着した金属酸化膜を容易に除去することができるようにする。【解決手段】原料ガス供給部31から処理ガスをシャワーヘッド6を介して反応室43内に供給して、Zr酸化膜やHf酸化膜等の金属酸化膜をウェーハ40上に成膜する。成膜を繰り返すことにより反応室43内に付着した金属酸化膜を除去するために、成膜後、反応室43内をガスクリーニングする。クリーニングガス供給部32において、ClF3等の塩素原子を含むガスをリモートプラズマ源24で活性化し、活性化したガスをクリーニングガス供給部32からシャワーヘッド6を介して反応室43内に供給する。活性化したガスを反応室43内に付着した金属酸化膜に接触させて、金属酸化膜を低温でも蒸気圧の高いZr塩化物やHf塩化物の金属塩化物に変える。金属塩化物が気化して排出されることにより、反応室内に付着した金属酸化膜が除去される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
反応室内でサセプタに保持した基板の上に金属酸化膜を形成する成膜工程と、 反応室外部で塩素原子を含むガスをプラズマを用いて活性化して反応室内に供給することにより前記成膜工程において反応室内に付着した膜を除去するクリーニング工程と を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L21/31 ,  C23C16/44
FI (2件)：
H01L21/31 B ,  C23C16/44 J
Fターム (20件)：
4K030BA10 ,  4K030BA22 ,  4K030BA42 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA06 ,  4K030JA06 ,  4K030KA24 ,  5F045AA04 ,  5F045AA06 ,  5F045AB31 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045BB15 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EB06 ,  5F045EF05 ,  5F045EH18 ,  5F045EK07
引用特許：
審査官引用 (3件)

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