特許
J-GLOBAL ID：200903059505153260
セルフクリーニング用の遠隔プラズマソースを備えた半導体処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
竹内 澄夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-010115
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274105
出願日： 2001年01月18日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】不純物汚染を無くし、生産性を向上させるプラズマクリーニングを備えたプラズマCVD装置を与える。【解決手段】プラズマCVD装置1は、反応チャンバ2、反応チャンバ2から離れて設けられた遠隔プラズマ放電チャンバ13を含む。遠隔プラズマ放電チャンバ13はプラズマ放電エネルギーによってクリーニングガスを活性化し、配管14を通じて反応チャンバ2に導入され、反応チャンバ2の内側に付着した固体物質を気体物質に変え、反応チャンバ内部を清浄にする。装置は以下の少なくとも一つによって特長付けられる。(a)遠隔プラズマ放電チャンバ13は予め選択された周波数の無線周波数発信出力を使って活性種を生成する。(b)配管14は活性種によって侵食されない材料から成る。(c)配管14はスルーフロータイプのバルブ15を具備する。
請求項（抜粋）：
化学気相成長(CVD)装置であって、デポジション反応チャンバと、反応チャンバから離れて設けられたプラズマ放電チャンバと、反応チャンバと遠隔プラズマ放電チャンバとを結合する遠隔プラズマ配管とから成り、遠隔プラズマ放電チャンバに結合されたエネルギーはプラズマ放電チャンバ内のクリーニングガスを活性化し、活性化されたクリーニングガスは配管を通って反応チャンバ内部に導入され、膜形成の結果として反応チャンバの内側に付着した固体物質を気体物質に変化させ、それによって反応チャンバの内側を清浄にし、配管の内面は活性化クリーニングガス種によって侵食されない金属から成る、ところの装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C23C 16/44
, H01L 21/3065
H01L 21/205
, C23C 16/44 J
, H01L 21/302 N
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (3件)
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