特許

J-GLOBAL ID：200903009244871740

高誘電率薄膜エッチング剤組成物

発明者： 山田 健二 ,  大戸 秀
出願人/特許権者： 三菱瓦斯化学株式会社
代理人 (1件)： 永井 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-092794
公開番号（公開出願番号）：特開2004-311993
出願日： 2004年03月26日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：

【課題】 高誘電率薄膜を用いた半導体装置、特にMOSFETの高集積化と高速化に不可欠な極薄ゲート絶縁膜層、ゲート電極を用いた半導体装置の製造工程に使用される高誘電率薄膜エッチング剤組成物を提供する。【解決手段】 有機酸(シュウ酸、クエン酸、マロン酸、コハク酸、酢酸またはプロピオン酸が好ましい。)又は無機酸(硫酸、硝酸、塩酸、リン酸またはスルファミン酸が好ましい。)の少なくともいずれかとフッ素化合物を含有する水溶液である高誘電率薄膜のエッチング剤組成物。

請求項（抜粋）：

有機酸又は無機酸の少なくともいずれかとフッ素化合物を含有する水溶液である高誘電率薄膜のエッチング剤組成物。

IPC (6件)：

H01L21/308 ,  C23F1/18 ,  C23F1/20 ,  C23F1/24 ,  C23F1/30 ,  H01L29/78

FI (6件)：

H01L21/308 E ,  C23F1/18 ,  C23F1/20 ,  C23F1/24 ,  C23F1/30 ,  H01L29/78 301G

Fターム (28件)：

4K057WA11 ,  4K057WB01 ,  4K057WB04 ,  4K057WB05 ,  4K057WB06 ,  4K057WB08 ,  4K057WE01 ,  4K057WE02 ,  4K057WE03 ,  4K057WE04 ,  4K057WE07 ,  4K057WE08 ,  4K057WE11 ,  4K057WE12 ,  4K057WE13 ,  4K057WE14 ,  4K057WG03 ,  4K057WN01 ,  5F043AA37 ,  5F043BB25 ,  5F043GG10 ,  5F140AA00 ,  5F140AA39 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 酸化アルミニウム用エッチング液
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-132200   出願人：住友化学工業株式会社
• エッチング液及びエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-135864   出願人：ダイキン工業株式会社
• 基板処理方法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-049236   出願人：大日本スクリーン製造株式会社