特許
J-GLOBAL ID：200903012155938980

基板処理方法及びその装置

発明者：
大澤 篤史

大澤 篤史 について


出願人/特許権者：
大日本スクリーン製造株式会社

大日本スクリーン製造株式会社 について


代理人 (1件)： 杉谷 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-049236
公開番号（公開出願番号）：特開2004-259946
出願日： 2003年02月26日
公開日（公表日）： 2004年09月16日
要約：
【課題】高誘電率材料を用いた基板を比較的に低い温度で好適に処理する。【解決手段】硫酸(H2SO4)とフッ酸(HF)とを含む処理液、または硫酸(H2SO4)とバッファードフッ酸(NH4F・HF)と含む処理液で、高誘電率材料を含む膜材料が被着された基板を処理することにより、比較的に低い温度の処理液で高誘電率材料を選択的に処理することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
硫酸(H2SO4)とフッ酸(HF)とを含む処理液、または硫酸(H2SO4)とバッファードフッ酸(NH4F・HF)と含む処理液で、高誘電率材料を含む膜材料が被着された基板を処理することを特徴とする基板処理方法。
IPC (2件)：
H01L21/306 ,  H01L29/78
FI (2件)：
H01L21/306 D ,  H01L29/78 301G
Fターム (14件)：
5F043AA37 ,  5F043AA38 ,  5F043BB24 ,  5F043BB25 ,  5F043EE32 ,  5F043EE33 ,  5F140AA00 ,  5F140AA24 ,  5F140BA01 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BE14 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04
引用特許：
審査官引用 (5件)
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