特許
J-GLOBAL ID：200903009271303281

半導体装置

発明者：
幡手 一成

幡手 一成 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (3件)： 吉田 茂明 ,  吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-016663
公開番号（公開出願番号）：特開2005-209983
出願日： 2004年01月26日
公開日（公表日）： 2005年08月04日
要約：
【課題】半導体装置内の電界集中を緩和し、高耐圧化を図る。【解決手段】n-層110の一側にはMOSFETのチャネル領域となるpウェル111が、他側にはn+ドレイン領域118が形成される。n-層110の上方には、第1絶縁膜LAを介して複数の第1フローティングフィールドプレートFAが形成される。その上には第2絶縁膜LBを介して、複数の第2フローティングフィールドプレートFBが形成される。第1絶縁膜LAの厚さをa、第1フローティングフィールドプレートFAと第2フローティングフィールドプレートFBとの間における第2絶縁膜LBの厚さ方向の距離をbとしたとき、a>bである。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
第1導電型の第1半導体領域と、 前記第1半導体領域を挟むように形成された第2導電型の第2半導体領域および前記第1半導体領域よりも不純物濃度が高い第1導電型の第3半導体領域と、 前記第1半導体領域上に形成された第1絶縁膜と、 前記第1絶縁膜上に形成され、前記第1半導体領域上方に、前記第3半導体領域から前記第2半導体領域へ向かう第1方向に並べて配設された複数個の第1フローティングフィールドプレートと、 前記第1フローティングフィールドプレート上に形成された第2絶縁膜と、 前記第2絶縁膜上に形成され、前記第1半導体領域上方に、前記第1方向に並べて配設された複数個の第2フローティングフィールドプレートとを備える半導体装置であって、 前記第1絶縁膜の厚さをaとし、前記第1フローティングフィールドプレートと前記第2フローティングフィールドプレートとの間の前記厚さの方向である第2方向の距離をbとしたとき、 a>bである ことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/861
FI (5件)：
H01L29/78 301W ,  H01L29/78 652P ,  H01L29/78 655F ,  H01L29/06 301F ,  H01L29/91 D
Fターム (16件)：
5F140AA25 ,  5F140AB01 ,  5F140AB03 ,  5F140AB09 ,  5F140AC21 ,  5F140AC22 ,  5F140AC23 ,  5F140AC24 ,  5F140BA01 ,  5F140BD19 ,  5F140BF44 ,  5F140BH43 ,  5F140BH47 ,  5F140BH50 ,  5F140CB08 ,  5F140CD08
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
  • 特開昭56-169369
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-159175   出願人：富士電機株式会社
  • 高耐圧半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-199521   出願人：株式会社東芝
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