特許
J-GLOBAL ID：200903009272305296
薄膜トランジスタの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-331756
公開番号（公開出願番号）：特開平11-163362
出願日： 1997年12月02日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：
【要約】【課題】 塗布技術により膜質等の物性の優れたゲート絶縁膜を形成することが可能な低コストの薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】 透明基板上にゲート電極を形成する工程と、少なくとも前記ゲート電極上に塗布法によりゲート絶縁膜を形成する工程と、半導体薄膜を成膜し、パターニングすることにより前記ゲート絶縁膜上に半導体領域を形成する工程とを具備したことを特徴とする
請求項（抜粋）：
透明基板上にゲート電極を形成する工程と、少なくとも前記ゲート電極上に塗布法により酸化ケイ素膜を形成した後、この酸化ケイ素膜を窒素を含むガスのプラズマ中で処理することによりゲート絶縁膜を形成する工程と、半導体薄膜を成膜し、パターニングすることにより前記ゲート絶縁膜上に半導体領域を形成する工程とを具備したことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (5件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 21/268
, H01L 21/28 301
, H01L 21/318
H01L 29/78 617 V
, H01L 21/268 F
, H01L 21/28 301 A
, H01L 21/318 C
, H01L 29/78 627 Z
