半導体素子のエス.オー.ジー(SOG)膜形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中川周吉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-359858
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199495
出願日： 1996年12月27日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：

【要約】【目的】半導体素子の電気的特性を向上させることができるエス・オー・ジー膜形成方法を提供することに目的がある。【構成】本発明は水分の浸透による素子の電気的特性低下を防止するためSOG膜を形成したあとプラズマを利用して上記SOG膜を表面処理する。

請求項（抜粋）：

半導体素子のエス・オー・ジー膜形成方法において、半導体素子の製造工程を経て段差が深化されたシリコン基板上に層間絶縁膜を形成したあと表面を平坦化させるため全体上部面にエス・オー・ジー膜を塗布する段階と、上記段階から上記エス・オー・ジー膜を硬化及び焼成させる段階と、上記段階から上記エス・オー・ジー膜の構造が緻密化するようにプラズマを利用して上記エス・オー・ジー膜を表面処理する段階でなることを特徴とする半導体素子のエス・オー・ジー膜形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 , H01L 21/205 , H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/316 G , H01L 21/316 P , H01L 21/205 , H01L 21/90 Q

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平4-343431
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-212945 出願人：川崎製鉄株式会社
プラズマCVD装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-120396 出願人：松下電器産業株式会社

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