光素子および光モジュール

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：ポレール特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-116473
公開番号（公開出願番号）：特開2007-288089
出願日： 2006年04月20日
公開日（公表日）： 2007年11月01日
要約：

【課題】発光素子、受光素子等の活性領域がメサ型形状の光素子において、メサ型構造の高さが高く、誘電体膜の厚みが厚い場合に、配線の断線の回避が困難、配線の引き出し方向の制約、容量の低減が不十分等の問題がある。【解決手段】メサ構造131を有する光素子100の周囲に高抵抗の再成長層110を配置する。これによって、円形の主要構造のエッチング時に現れる面方位を持ったメサ部131が再成長層110で被覆される。この被覆によって、この部位での容量も低減されるとともに全ての配線引き出し方向に対して断線の危険性も回避することが出来る。さらに、再成長層の厚さは主要構造部の厚みと同等に設定できる。特に導電性基板を用いた際に誘電体膜111、112との組み合わせにより大きな寄生容量の低減効果が期待できる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上にメサ型形状の活性領域が形成された光素子において、その光素子を構成する前記半導体基板を含む半導体層の中で前記半導体基板または前記半導体基板近傍に配置された第1の半導体層は、第1の導電性を有し、前記光素子の活性領域に対して、前記半導体基板とは逆側に配置された第2の半導体層から配線の少なくとも一部と、前記配線の一端に形成されたボンディング用電極パッドとは、前記メサ型形状の活性領域の周囲に接して成長された高抵抗の半導体層上に誘電体層を介して形成されていることを特徴とする光素子。

IPC (5件)：

H01L 31/10 , H01L 31/02 , H01L 33/00 , H01S 5/042 , H01S 5/02

FI (6件)：

H01L31/10 A , H01L31/02 B , H01L33/00 A , H01L33/00 N , H01S5/042 610 , H01S5/02

Fターム (59件)：

5F041AA21 , 5F041AA25 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA12 , 5F041CA39 , 5F041CA92 , 5F041CB05 , 5F041CB15 , 5F041CB36 , 5F041DA07 , 5F041DA83 , 5F041FF14 , 5F049MA04 , 5F049MA08 , 5F049MB07 , 5F049NA15 , 5F049NA20 , 5F049NB01 , 5F049QA02 , 5F049QA06 , 5F049QA15 , 5F049SE09 , 5F049SE15 , 5F049SS04 , 5F049SZ03 , 5F049TA06 , 5F049UA13 , 5F088AA03 , 5F088AA05 , 5F088AB07 , 5F088BA16 , 5F088BA20 , 5F088BB01 , 5F088DA01 , 5F088DA17 , 5F088FA09 , 5F088GA03 , 5F088HA03 , 5F088KA02 , 5F173AC03 , 5F173AC14 , 5F173AC35 , 5F173AC52 , 5F173AC53 , 5F173AF98 , 5F173AF99 , 5F173AK21 , 5F173AP16 , 5F173AP32 , 5F173AP33 , 5F173AR61 , 5F173AR65 , 5F173AR99 , 5F173MA02 , 5F173MC18 , 5F173MD59 , 5F173SJ16 , 5F173SJ20

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体受光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-169643 出願人：浜松ホトニクス株式会社
半導体光機能素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-280985 出願人：日本電気株式会社

審査官引用 (2件)

特開昭62-104178
面発光レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-337709 出願人：日本ビクター株式会社

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