特許
J-GLOBAL ID：200903039298747803
半導体受光素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
長谷川 芳樹
, 寺崎 史朗
, 石田 悟
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-169643
公開番号（公開出願番号）：特開2005-005600
出願日： 2003年06月13日
公開日（公表日）： 2005年01月06日
要約：
【課題】歩留まりと再現性を向上した半導体受光素子を容易に作製する。【解決手段】本半導体受光素子1によれば、半絶縁性GaAs基板2の上面部に、高さの異なる三段階の平坦面が形成されている。また、半絶縁性GaAs基板2の中央部に形成された下段面上(凹部)には、p型GaAs層3とi型GaAs層4とn型GaAs層5が順次積層されている。更に、n型GaAs層5と半絶縁性GaAs基板2の上段面が為す平坦面上にn側オーミック電極6が跨設され、p型GaAs層3と半絶縁性GaAs基板2の中段面が為す平坦面上にp側オーミック電極7が跨設されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
夫々高さの異なる上段面、中段面、下段面を上面部に有し、前記下段面が前記上段面と前記中段面との間に形成された半絶縁性基板と、
前記中段面と同等の高さを有する平坦面状に形成された第1上面部と、該第1上面部と同等或いは高位の高さを有する第2上面部とを有し、前記下段面の直上に形成されたp型の第1半導体層と、
上面部が前記上段面と同等の高さを有する平坦面状に形成されたn型の第2半導体層と、
前記第1半導体層の第2上面部と前記第2半導体層の下面部との間に形成され、前記第1半導体層及び前記第2半導体層よりもキャリア濃度の低い第3半導体層と、
前記第1半導体層の第1上面部と前記半絶縁性基板の中段面上に跨設された第1電極と、
前記第2半導体層の上面部と前記半絶縁性基板の上段面上に跨設された第2電極と
を備えたことを特徴とする半導体受光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (12件)：
5F049MA04
, 5F049MB07
, 5F049NA18
, 5F049PA04
, 5F049PA14
, 5F049PA15
, 5F049QA02
, 5F049QA15
, 5F049QA20
, 5F049SE11
, 5F049SS04
, 5F049SZ03
