特許
J-GLOBAL ID：200903009356685965
真空成膜装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人エクシオ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-130851
公開番号（公開出願番号）：特開2006-009144
出願日： 2005年04月28日
公開日（公表日）： 2006年01月12日
要約：
【課題】 吸着及び反応工程のプロセス条件を独立して設定でき、膜質のよい薄膜を得ることができ、成膜プロセスのサイクルタイムを早くできるように構成され、その上、製作コストの低い成膜装置の提供。【解決手段】 基板ステージと、ベルジャー形容器と、成膜対象物搬送手段と、ガス導入手段とを備え、成膜プロセス実施時に、基板ステージと容器とで真空チャンバーを形成し、真空チャンバーの空間内にガス導入手段を介して原料ガス、反応ガスが導入され、成膜対象物上に原料ガスを吸着させる吸着工程及び吸着された原料ガスと反応ガスとを反応させる反応工程のいずれかを行うことができるように構成してなる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
成膜対象物を載置するための昇降自在の複数の基板ステージと、該複数の基板ステージに対向して配置された昇降自在の複数の真空チャンバー用容器と、該複数の基板ステージのそれぞれの間で成膜対象物を移動させるための搬送手段と、該複数の真空チャンバー用容器のそれぞれに別々に接続した複数のガス導入手段とを備えてなり、プロセス実施時に、該基板ステージ及び真空チャンバー用容器のいずれか一方を他方に向かって昇降させるか又は両者を相互に昇降させることにより該基板ステージの上面と真空チャンバー用容器の開口部とを接触させて、該基板ステージのそれぞれと真空チャンバー用容器のそれぞれとで囲まれる真空チャンバーが複数形成されるように、また、該複数の真空チャンバーの各空間内に該ガス導入手段を介して所定の原料ガス、反応ガスが導入され、該空間内で、成膜対象物の表面に原料ガスを吸着させる吸着工程及び吸着された原料ガスと反応ガスとを反応させる反応工程のいずれかを行うことができるように構成してなることを特徴とする真空成膜装置。
IPC (3件)：
C23C 16/52
, C23C 16/38
, H01L 21/285
C23C16/52
, C23C16/38
, H01L21/285 C
4K030AA05
, 4K030AA13
, 4K030AA17
, 4K030BA22
, 4K030BA38
, 4K030BA49
, 4K030CA04
, 4K030FA01
, 4K030FA10
, 4K030GA04
, 4K030HA01
, 4K030KA08
, 4K030LA15
, 4M104AA01
, 4M104BB04
, 4M104BB29
, 4M104BB35
, 4M104BB36
, 4M104DD15
, 4M104DD16
, 4M104DD19
, 4M104DD44
, 4M104DD45
, 4M104FF18
, 4M104FF22
, 4M104HH13
