薄膜形成装置および方法、および当該装置を用いた電子部品の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡部正夫 (外10名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-106423
公開番号（公開出願番号）：特開2003-293134
出願日： 2002年04月09日
公開日（公表日）： 2003年10月15日
要約：

【要約】【課題】成膜装置における室の増加を容易に行うことが可能であり、設置面積が小さく且つより生産効率を高めた成膜装置を提供する。【解決手段】異なる平面上に、それぞれ複数の成膜室を有する真空槽を設け、当該真空槽を真空とされた受渡し室を介して連通させ、且つ当該受け渡室に設けた基盤受渡し機構によってこれら真空槽間での基板の授受を行う構成とした。

請求項（抜粋）：

基板面上に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、複数の薄膜形成室と、基板を保持し且つ前記薄膜形成室間における前記基板の搬送を行う搬送系とをそれぞれ有する、各々異なる平面上に配置された複数の真空槽と、前記複数の真空槽間における前記搬送系に対して、前記基板の受渡しを行う基板受渡し機構とを有し、前記基板受渡し機構は、前記複数の真空槽を連通させる受け渡し室に配置されることを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (4件)：

C23C 14/56 , C23C 16/44 , G11B 7/26 531 , H01L 21/68

FI (4件)：

C23C 14/56 G , C23C 16/44 F , G11B 7/26 531 , H01L 21/68 A

Fターム (36件)：

4K029AA11 , 4K029AA24 , 4K029BC06 , 4K029BD12 , 4K029CA05 , 4K029JA03 , 4K029KA01 , 4K030CA07 , 4K030GA06 , 4K030GA08 , 4K030GA12 , 4K030LA05 , 4K030LA20 , 5D121AA03 , 5D121EE03 , 5D121EE19 , 5D121EE20 , 5D121EE27 , 5D121EE29 , 5D121JJ02 , 5D121JJ03 , 5D121JJ09 , 5F031CA01 , 5F031DA13 , 5F031FA02 , 5F031FA07 , 5F031FA12 , 5F031FA13 , 5F031GA30 , 5F031GA54 , 5F031LA09 , 5F031LA15 , 5F031MA04 , 5F031MA28 , 5F031MA29 , 5F031NA05

引用特許：

審査官引用 (7件)

基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-223120 出願人：国際電気株式会社
基板処理装置および基板処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-303488 出願人：大日本スクリーン製造株式会社
特開平3-274746

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