半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：河村洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-169964
公開番号（公開出願番号）：特開平11-017072
出願日： 1997年06月26日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：

【要約】【課題】集積回路の部分的な回路素子部分またはピンスポットで発生する熱を効率よく放熱し、素子を劣化させない半導体装置を提供する。【解決手段】回路素子が形成される半導体基板1と、該半導体基板上に設けられる絶縁膜3と、該絶縁膜上に設けられるメタル配線4と、該メタル配線上に設けられる保護膜6とを有すると共に、前記回路素子が形成される領域(デバイス活性領域2)上の前記メタル配線が設けられる絶縁膜3に、前記メタル配線と同じ材料からなる放熱膜5が設けられている。

請求項（抜粋）：

回路素子が形成される半導体基板と、該半導体基板上に設けられる絶縁膜と、該絶縁膜上に設けられるメタル配線と、該メタル配線上の表面に設けられる保護膜とを有する半導体装置であって、前記回路素子が形成される領域上の前記メタル配線が設けられる前記絶縁膜に、前記メタル配線と同じ材料からなる放熱膜が設けられてなる半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-134578 出願人：株式会社東芝
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-038434 出願人：日本電装株式会社
特開平1-298746

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