特許
J-GLOBAL ID：200903096227533741
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-142723
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335327
出願日： 1997年05月30日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：
【要約】【解決手段】多層配線構造における半導体装置に関し、放熱板の役割をする配線パターンや接続孔パターンを設け、熱を逃がすようにする。PAD107より電流を印加した場合、拡散層101上に形成される第1の配線104及び第1の接続孔102に電流が流れる。このとき発生した熱を逃がすため、第1の接続孔102の近くに第2の接続孔103を設ける。また、第1の配線104の近くに、第2の配線105を設ける。さらに層間膜を挟み、第3の配線106も放熱板として設ける。【効果】電流が印加された配線や接続孔から発生した熱が放熱されるため、配線パターンや接続孔の急激な温度上昇を防ぐことができ配線や接続部の信頼性、特にエレクトロマイグレーション耐性の向上をはかることが可能となる。
請求項（抜粋）：
多層配線を有する半導体装置の配線において第1の絶縁膜上に形成された第1の配線パターンの近くに電流を印加しない放熱用の第2の配線パターンを有し、前記第1の配線からの発熱を逃がすことを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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