特許
J-GLOBAL ID：200903009427929941

TFTアレイ基板とその製造方法それを用いた液晶表示装置

発明者：
小川 一文

小川 一文 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 大前 要
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-372713
公開番号（公開出願番号）：特開2001-188252
出願日： 1999年12月28日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
要約：
【要約】【課題】 液晶表示装置用のTFTアレイ基板の構造を簡素化し、2ないし3枚のフォトマスクの使用でTFTアレイ基板を製造する。【解決手段】 画素電極(14’)とTFT(16)とを有するTFTアレイ基板において、前記TFTが、絶縁性基板(1)上に堆積されたシリコン半導体膜と、前記シリコン半導体膜のチャネル領域の上に形成されたゲート絶縁膜(4’)と、前記ゲート絶縁膜(4’)の上に形成されたゲート電極(5’)と、前記ゲート電極(5’)の表面を覆うゲート電極金属酸化膜(7)と、前記ゲート電極金属酸化膜(7)の上面において互いに離間する電極であって、前記ゲート電極金属酸化膜(7)の少なくともソース領域側の側面とソース領域を覆うソース電極(12)と、前記ゲート電極金属酸化膜(7)の少なくともドレイン領域側の側面とドレイン領域を覆うように形成されたドレイン電極(13)と、を有する構造であることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板(1)上に画素電極(14’)と画素電極を駆動するTFT(16)とがマトリックス状に形成されたトップゲート型TFTアレイ基板であって、前記TFTは、絶縁性基板(1)上に堆積されたシリコン半導体膜と、前記シリコン半導体膜のチャネル領域の上に形成されたゲート絶縁膜(4’)と、前記ゲート絶縁膜(4’)の上に形成されたゲート電極(5’)と、前記ゲート電極(5’)の表面を覆うゲート電極金属酸化膜(7)と、前記ゲート電極金属酸化膜(7)の上面において互いに離間する電極であって、前記ゲート電極金属酸化膜(7)の少なくともソース領域側の側面とソース領域を覆うソース電極(12)と、前記ゲート電極金属酸化膜(7)の少なくともドレイン領域側の側面とドレイン領域を覆うように形成されたドレイン電極(13)と、を有し、前記画素電極(14’)は、前記TFT(16)が形成された部位以外の基板の部位に形成され、かつ前記ドレイン電極(13)を介して前記シリコン半導体膜のドレーン領域に電気接続されている、ことを特徴とするトップゲート型TFTアレイ基板。
IPC (6件)：
G02F 1/1368 ,  G02F 1/1333 505 ,  G02F 1/1335 505 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (6件)：
G02F 1/1333 505 ,  G02F 1/1335 505 ,  G09F 9/30 338 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 612 D ,  H01L 29/78 616 J
Fターム (102件)：
2H090HA03 ,  2H090HB03X ,  2H090HD05 ,  2H090HD17 ,  2H090LA01 ,  2H090LA04 ,  2H090LA15 ,  2H090LA20 ,  2H091FA02Y ,  2H091FA16Y ,  2H091FB08 ,  2H091FC02 ,  2H091FC26 ,  2H091FD04 ,  2H091GA06 ,  2H091GA07 ,  2H091GA13 ,  2H091GA16 ,  2H091LA12 ,  2H092GA14 ,  2H092JA25 ,  2H092JA33 ,  2H092JA39 ,  2H092JA43 ,  2H092JB05 ,  2H092JB07 ,  2H092JB24 ,  2H092JB33 ,  2H092JB57 ,  2H092KA10 ,  2H092KA12 ,  2H092KA18 ,  2H092KA19 ,  2H092KA24 ,  2H092KB04 ,  2H092KB13 ,  2H092MA05 ,  2H092MA07 ,  2H092MA08 ,  2H092MA13 ,  2H092MA17 ,  2H092MA24 ,  2H092MA27 ,  2H092MA37 ,  2H092NA27 ,  2H092PA08 ,  5C094AA12 ,  5C094AA43 ,  5C094AA44 ,  5C094AA48 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094CA24 ,  5C094DA13 ,  5C094DA15 ,  5C094DB02 ,  5C094DB04 ,  5C094EA04 ,  5C094EA06 ,  5C094EA10 ,  5C094EB04 ,  5C094ED03 ,  5C094ED11 ,  5C094FA01 ,  5C094FA02 ,  5C094FB02 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094FB15 ,  5C094GB10 ,  5F110AA03 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110EE06 ,  5F110EE34 ,  5F110EE44 ,  5F110FF03 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG35 ,  5F110GG45 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK22 ,  5F110HK25 ,  5F110HK33 ,  5F110HK35 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN33 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ09
引用特許：
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM