単結晶の製造方法および製造装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：広瀬章一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-418346
公開番号（公開出願番号）：特開2005-179080
出願日： 2003年12月16日
公開日（公表日）： 2005年07月07日
要約：

【課題】多結晶の成長を伴わずに、液相エピタキシャル法により、結晶欠陥の少ない良質な炭化珪素等のバルク単結晶を効率よく製造する方法と装置を提供する。【解決手段】原料融液9を収容する坩堝を、中央部が窪んだ融液保持部6と導電性の側壁部5とから構成し、側壁部5の周囲に多重螺旋構造の常伝導コイル10を設け、坩堝の側壁部5には常伝導コイルと略直交方向にスリットを設けることにより、ローレンツ力により融液9をドーム状に隆起させる。この隆起部の頂点に結晶保持具3に取り付けた単結晶基板12を接触させ、結晶保持具3を引き上げることにより、融液9を坩堝の側壁部5に接触させることなく、かつ融液を電磁攪拌しながら、基板12上に単結晶を成長させる。スリットを介して融液表面温度を測定できるし、また、常伝導コイルコイル10の外周に超伝導コイル15を配置して隆起形状を安定化したり、固体原料1の追加供給を行ってもよい。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

坩堝内で加熱された単結晶原料の融液に種結晶を接触させ、前記融液から種結晶を引き上げることにより単結晶を成長させる単結晶製造方法であって、融液を隆起させ、隆起した融液の頂点付近に種結晶を接触させて種結晶上に単結晶を成長させることを特徴とする、単結晶製造方法。

IPC (2件)：

C30B19/00 , C30B29/36

FI (2件)：

C30B19/00 Z , C30B29/36 A

Fターム (17件)：

4G077AA02 , 4G077BE08 , 4G077CG02 , 4G077CG07 , 4G077EA06 , 4G077EC08 , 4G077EG01 , 4G077EG14 , 4G077EG25 , 4G077EH07 , 4G077EJ02 , 4G077QA04 , 4G077QA12 , 4G077QA38 , 4G077QA54 , 4G077QA81 , 4G077RA03

引用特許：

出願人引用 (2件)

炭化ケイ素単結晶の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-320714 出願人：株式会社東芝
炭化珪素単結晶の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-072033 出願人：株式会社日立製作所

審査官引用 (5件)

特開平4-342491
炭化珪素単結晶の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-072033 出願人：株式会社日立製作所
特開平4-026584

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