特許
J-GLOBAL ID：200903009488683562
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-269641
公開番号（公開出願番号）：特開平10-116797
出願日： 1996年10月11日
公開日（公表日）： 1998年05月06日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置の製造方法に関し、接合リーク電流の小さな低抵抗のコバルトシリサイド電極をばらつきなく形成する。【解決手段】 pn接合2を有するシリコン基板1上にコバルト膜3を堆積させたのち、加熱処理して所定の領域に第1のシリサイド層6,7を形成する際に、コバルト膜3にコバルト/シリコン反応を抑制する不純物5を含有させて加熱処理を行い、次いで、この第1のシリサイド層6,7を加熱して第2のシリサイド層8,9を形成する。
請求項（抜粋）：
pn接合を有するシリコン基板上にコバルト膜を堆積させたのち、加熱処理して所定の領域に第1のシリサイド層を形成する工程、前記第1のシリサイド層を加熱して第2のシリサイド層を形成する工程を有する半導体装置の製造方法において、前記コバルト膜に、コバルト/シリコン反応を抑制する不純物を含有させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/28 301
, H01L 29/78
, H01L 21/336
H01L 21/28 301 S
, H01L 29/78 301 P
