特許
J-GLOBAL ID：200903009514289819
代替フッ化ホウ素前駆体を使用するホウ素イオン注入および注入のための大きな水素化ホウ素の形成
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
鮫島 睦
, 田村 恭生
, 玄番 佐奈恵
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-529239
公開番号（公開出願番号）：特表2009-506580
出願日： 2006年08月30日
公開日（公表日）： 2009年02月12日
要約：
ホウ素含有イオンを、三フッ化ホウ素と比較してより容易に劈開する、フッ化ホウ素含有ドーパント種を用いて、注入する方法。ホウ素含有イオンを、三フッ化ホウ素と比較してより容易に劈開する、フッ化ホウ素含有ドーパント種を用いて注入することを含む、半導体デバイスの製造方法。水素化ホウ素前駆体を供給するシステム、および水素化ホウ素前駆体を形成する方法、ならびに水素化ホウ素を供給する方法もまた、開示される。発明の一つの実施形態において、集積回路のような半導体製品を製造するために、水素化ホウ素前駆体は、クラスターホウ素注入のために生成される。
請求項（抜粋）：
ホウ素含有イオンを注入する方法であって、
気化したホウ素含有ドーパント種を真空チャンバー内で、イオン化条件にて、イオン化して、ホウ素含有イオンを生成すること;および
ホウ素含有イオンを電場により加速して、ホウ素含有イオンをデバイスの基体に注入すること
を含み、
ホウ素含有ドーパント種が三フッ化ホウ素を含まない、
方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/265 Z
, C01B6/00 Z
