N及びP型クラスターイオン及び陰イオンの注入によるCMOS素子の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：熊倉禎男 , 大塚文昭 , 今城俊夫 , 西島孝喜
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-517618
公開番号（公開出願番号）：特表2005-531156
出願日： 2003年06月06日
公開日（公表日）： 2005年10月13日
要約：

【課題】イオン注入システムと、N型ドーパントクラスターイオン及び負に荷電したクラスターイオンビームのクラスターから形成されたイオンビームを注入する半導体製造方法とを提供する。【解決手段】半導体素子製造に対する半導体基板内へのクラスターイオンの注入のためのイオン注入システム(10)、及びCMOS素子内のトランジスタを形成するためにN及びP型ドーパントのクラスターが注入される半導体素子を製造する方法。例えば、注入中に、As4Hx+クラスターとB10Hx又はB10Hx+クラスターとは、それぞれAs及びBドーパントの供給源として使用される。イオン注入システム(10)は、半導体素子製造のための半導体基板内へのクラスターイオンの注入に関して説明される。

請求項（抜粋）：

(a)N型クラスターイオンを第1の分子種から生成する段階と、 (b)P型クラスターイオンを第2の分子種から生成する段階と、 (c)前記N型クラスターイオンを基板上の第1の領域内に注入する段階と、 (d)前記P型クラスターイオンを前記基板上の第2の領域内に注入する段階と、を含むことを特徴とする、ドーパント材料を基板内に注入する方法。

IPC (4件)：

H01L21/265 , H01J37/317 , H01L21/8238 , H01L27/092

FI (4件)：

H01L21/265 Z , H01L21/265 603A , H01J37/317 Z , H01L27/08 321E

Fターム (10件)：

5C034CC01 , 5F048AA01 , 5F048AC03 , 5F048BB05 , 5F048BB12 , 5F048BC01 , 5F048BC06 , 5F048BE03 , 5F048BG13 , 5F048DA25

引用特許：

出願人引用 (4件)

米国特許仮出願出願番号第60/392,271号
米国特許仮出願出願番号第60/391,847号
米国特許出願出願番号第10/244,617号

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審査官引用 (6件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-182177 出願人：株式会社リコー
イオン注入方法および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-323065 出願人：富士通株式会社, 科学技術振興事業団
特許第6191012号

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