特許
J-GLOBAL ID：200903035528198728

イオン注入における設備の動作可能時間を延長するための方法および装置

発明者：
ホースキー, トーマス エヌ.

ホースキー, トーマス エヌ. について

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ミルゲート, ロバート ダブリュー. ザ サード

ミルゲート, ロバート ダブリュー. ザ サード について

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サッコ, ジョージ ピー. ジュニア

サッコ, ジョージ ピー. ジュニア について

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ジェイコブソン, デール コンラド

ジェイコブソン, デール コンラド について

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ルール, ウェイド アレン

ルール, ウェイド アレン について


出願人/特許権者：
セメクイップ, インコーポレイテッド

セメクイップ, インコーポレイテッド について


代理人 (3件)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  森下 夏樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-544049
公開番号（公開出願番号）：特表2007-518221
出願日： 2004年12月09日
公開日（公表日）： 2007年07月05日
要約：
イオン源(400)の耐用年数は、反応性ハロゲンガス(FまたはCl)を使用して、イオン源(400)および引出し電極(405)のインサイチュでのエッチング洗浄の備えを有する供給源によって、ならびに洗浄間のサービス期間を延長する特徴を有することによって強化または延長される。後者は、正確な蒸気流制御、イオンビーム光学素子の正確な集束、および沈着物の形成を防止するか、または電極の破壊を防止する引出し電極の熱制御を含む。半導体ウェハ処理用のドーパントイオンを生成するためのイオン源から成る装置は、遠隔プラズマ源に結合され、このプラズマ源は、第1イオン源および引出し電極内の沈着物を洗浄することを目的として、第1イオン源にFイオンまたはClイオンを供給する。これらの方法および装置は、昇華蒸気供給源などの凝縮可能な供給ガスを作動させる場合、長時間の機器動作可能時間を可能にし、低温イオン源に使用するのに適する。
請求項（抜粋）：
引出し電極(405または220)および反応性ガス洗浄システム(455、430)に関連するイオン源(400または10)を含む、イオンビーム(475または240)を生成するシステムであって、 該イオン源が、高電圧電源に接続された電離箱(500)であって、ガス状または蒸発供給材料用の入口(441、440または435)を有する電離箱(500)と、該電離箱内で該供給材料をイオン化するためのエネルギー付与可能なイオン化システムと、真空ハウジング(410または209)と連絡する抽出開口部(304)とを備え、該真空ハウジングが、真空ポンプシステム(420)によって排気され、 該引出し電極(405または220)が、該電離箱の外側で、該真空ハウジング内に配置され、該電離箱の該抽出開口部(504)と整列され、該電離箱の電圧未満の電圧に維持されて、該開口部を通して該電離箱内からイオンを抽出するように構成され、 該反応性ガス洗浄システム(455、430)が、該電離箱およびイオン化システムの電源が切られると動作可能であり、該電離箱(500)および該イオン抽出開口部(504)を通して反応性ガス流を供給し、該イオン生成システムの表面の少なくとも一部上の沈着物と反応させて、該沈着物を除去する、イオンビーム生成システム。
IPC (4件)：
H01J 27/02 ,  H01L 21/265 ,  H01J 37/08 ,  H01J 37/317
FI (4件)：
H01J27/02 ,  H01L21/265 603A ,  H01J37/08 ,  H01J37/317 Z
Fターム (6件)：
5C030DE01 ,  5C030DE09 ,  5C030DG09 ,  5C034CC01 ,  5C034CC19 ,  5C034CD10
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 米国特許第6094012号明細書
審査官引用 (6件)
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