太陽電池

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：池内寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-268772
公開番号（公開出願番号）：特開平8-130321
出願日： 1994年11月01日
公開日（公表日）： 1996年05月21日
要約：

【要約】【目的】半導体光吸収層に対する電極と、前記半導体光吸収層と該半導体光吸収層のバンドギャップより広いバンドギャップ及び異なる伝導型を有する半導体窓層との接合と、前記半導体窓層に対する透明電極と傾斜組成層とよりなる太陽電池で、高い変換効率を得る太陽電池を提供する。【構成】半導体窓層4/傾斜組成層6/半導体光吸収層3をCdS/CdTe1ーXSeX/CdTeあるいはCdS/CuIn1ーXGaXSe2/CuInSe2あるいはCdS/CuIn(Se1ーXSX)2/CuInSe2から構成し、傾斜組成層6を半導体窓層4との接合部より離れるに従ってバンドギャップが小さくし、かつ半導体光吸収層3に接する部分のバンドギャップが光吸収層3のバンドギャップに比べて同等もしくは大きくすることにより、再結合電流が減少して高い解放電圧を得ることができ、高い変換効率を得ることができる。

請求項（抜粋）：

半導体光吸収層に対する電極と、前記半導体光吸収層と接合部でもって接する該半導体光吸収層のバンドギャップより広いバンドギャップ及び異なる伝導型を有する半導体窓層と、該半導体窓層に対する透明電極とよりなる太陽電池であって、半導体光吸収層と半導体窓層の間に該半導体窓層との接合部より離れるに従ってバンドギャップが小さくなり、かつ前記半導体光吸収層に接する部分のバンドギャップが該半導体光吸収層のバンドギャップに比べて同等もしくは大きい傾斜組成層を有し、かつその膜厚が空乏層幅と同等の膜厚よりなることを特徴とする太陽電池。

引用特許：

出願人引用 (7件)

太陽電池
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-017410 出願人：松下電器産業株式会社
太陽電池
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-017411 出願人：松下電器産業株式会社
特開平2-073674

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審査官引用 (7件)

太陽電池
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-017410 出願人：松下電器産業株式会社
太陽電池
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-017411 出願人：松下電器産業株式会社
特開平2-073674

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