リアルタイムパーティクルフィルタを具備したプラズマ処理装置

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：武顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-207290
公開番号（公開出願番号）：特開2002-025794
出願日： 2000年07月07日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：

【要約】【課題】低圧アーク放電を利用したプラズマ処理装置において、粒径5μm以下の荷電性粒子と電荷を持たない中性粒子に対する効果的な捕獲・除去を図る。【解決手段】ターゲット1とストライカ4との間で低圧アーク放電5が行なわれると、プラズマ11が発生し、第1の磁場ダクト14,第2の磁場ダクト15内を通って処理室6内の被処理基板7の表面に照射される。ここで、第1の磁場ダクト14と第2の磁場ダクト15との間に、中心部に貫通孔25を有してプラズマ11を通す防着フィルタ23が設けられ、これにより、プラズマ11中に浮遊する中性粒子24が捕獲され、また、第2の磁場ダクト15と被処理基板7との間に円筒状の電場フィルタ16が設けられ、これにより、プラズマ11中に浮遊している負に帯電した荷電性粒子17が捕獲される。従って、これら中性粒子24,荷電性粒子17が除かれたプラズマ11が被処理基板7に照射される。

請求項（抜粋）：

陰極アーク放電によるプラズマ発生部と、プラズマを輸送するための第1の磁場ダクトと、第2の磁場ダクトと、被処理基板を保持するステージを有する処理室とを備え、該プラズマ発生部で生成したプラズマが該第1の磁場ダクト及び該第2の磁場ダクトを通って該処理室の該被処理基板に照射されるように、該第1,第2の磁場ダクトと該処理室とが配置されて、かつ該第1,第2の磁場ダクトと該処理室とが真空に保持されてなり、該第1の磁場ダクトと該被処理基板との間に電圧を印加可能な1つ以上の電場フィルタが該処理室に対して電気的な絶縁を保って設置され、該電場フィルタが該プラズマ中に含まれる荷電性粒子を捕獲し、除去させるようにしたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (6件)：

H05H 1/24 , B01J 19/08 , C23C 14/32 , C23F 4/00 , H01L 21/203 , H01L 21/3065

FI (6件)：

H05H 1/24 , B01J 19/08 H , C23C 14/32 Z , C23F 4/00 A , H01L 21/203 S , H01L 21/302 A

Fターム (29件)：

4G075AA24 , 4G075BC01 , 4G075BC06 , 4G075CA17 , 4G075CA42 , 4G075CA47 , 4G075CA65 , 4G075EB01 , 4G075EB21 , 4G075EB22 , 4K029CA03 , 4K029DA09 , 4K029DD06 , 4K057DA01 , 4K057DB06 , 4K057DD01 , 4K057DJ03 , 4K057DM03 , 4K057DM19 , 4K057DM24 , 4K057DM40 , 4K057DN01 , 5F004AA01 , 5F004AA06 , 5F004BA11 , 5F103AA08 , 5F103BB23 , 5F103DD30 , 5F103RR06

引用特許：

審査官引用 (7件)

矩形真空アークプラズマ源
公報種別：公表公報出願番号：特願平7-527728 出願人：ベイパーテクノロジーズ,インコーポレイテッド
特開平4-078478
半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-067445 出願人：シャープ株式会社

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