不揮発性メモリ装置の書き込み方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大川宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-090037
公開番号（公開出願番号）：特開2009-259385
出願日： 2009年04月02日
公開日（公表日）： 2009年11月05日
要約：

【課題】書き込み動作時OTP(One Time Programmable)単位セルのアンチヒューズを正常に絶縁破壊させて読み出し動作時にデータのセンシングマージンを改善させることで、誤動作を防止し、OTP単位セルの読み出し動作の信頼性を改善させることができる不揮発性メモリ装置の書き込み方法を提供する。【解決手段】OTP単位セルを備えた不揮発性メモリ装置の書き込み方法であって、書き込み動作時、複数の周期を有するパルス形態の書き込み電圧を印加する不揮発性メモリ装置の書き込み方法を提供する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

OTP(One Time Programmable)単位セルを備えた不揮発性メモリ装置の書き込み方法であって、書き込み動作時、複数の周期を有するパルス形態の書き込み電圧を印加することを特徴とする不揮発性メモリ装置の書き込み方法。

IPC (2件)：

G11C 17/14 , G11C 16/02

FI (3件)：

G11C17/06 B , G11C17/00 611E , G11C17/00 611A

Fターム (15件)：

5B125BA14 , 5B125BA16 , 5B125CA11 , 5B125DB01 , 5B125DB08 , 5B125DB11 , 5B125DB12 , 5B125DB13 , 5B125DB14 , 5B125DE02 , 5B125EF10 , 5B125EG18 , 5B125EH02 , 5B125FA01 , 5B125FA02

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭63-220499
特開昭63-257996
特開平3-203098

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