特許

J-GLOBAL ID：200903027185751075

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 玉田 悟 ,  佐伯 達也
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-037339
公開番号（公開出願番号）：特開2003-242787
出願日： 2002年02月14日
公開日（公表日）： 2003年08月29日
要約：

【要約】【課題】 不揮発性半導体記憶装置の書換時間を短縮しかつ不揮発性メモリセルのトンネル絶縁膜の信頼性の劣化を抑制する。【解決手段】 EW回数記憶部(15A,15B)により、メモリセルの書換が行なわれた回数を記憶する。メモリセルのデータ書換時、EW回数センスラッチ部(22)に、選択メモリセルの書換回数データを転送してラッチし、EW回数カウンタ(10)に転送する。制御用CPU(16)は、このEW回数カウンタのカウント値を更新した値に基づいて書換パルスの条件を設定して書換を実行する。このデータ書換時においては、EW回数カウンタ(10)の更新後のカウント値がEW回数センスラッチ部(22)に転送される。メモリセルへのデータ書込時と並行して、この更新された書換回数データが対応のEW回数記憶部に転送されて格納される。

請求項（抜粋）：

不揮発的にデータを記憶する複数のメモリセル、前記複数のメモリセルの記憶データを書換えた書換回数を記憶する書換回数記憶回路、および前記メモリセルのデータ書換時、前記書換回数記憶回路の記憶データが示す書換回数に従って、データを書込むための書込パルスおよび記憶データの消去を行なうための消去パルスの少なくとも一方を含む書換パルスの条件を設定する書換条件制御回路を備え、前記書換パルスの前記書込パルスおよび前記消去パルスの少なくとも一方の条件は前記書換回数に従って変更可能である、不揮発性半導体記憶装置。

FI (5件)：

G11C 17/00 601 B ,  G11C 17/00 611 E ,  G11C 17/00 612 D ,  G11C 17/00 612 E ,  G11C 17/00 611 A

Fターム (6件)：

5B025AA01 ,  5B025AD04 ,  5B025AD08 ,  5B025AE01 ,  5B025AE05 ,  5B025AF01

引用特許：

審査官引用 (8件)

• 半導体集積回路及びデータ処理システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-258215   出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
• 特開平3-250496
  
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-269991   出願人：三菱電機株式会社
• 不揮発性半導体記憶装置及び不揮発性半導体記憶装置の内部動作方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-358307   出願人：富士通株式会社
• 不揮発性半導体メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-332994   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開平3-250496
  
• 電気的書込み消去可能な不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-274886   出願人：日本電気株式会社
• 不揮発性半導体メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-290084   出願人：三洋電機株式会社