n型窒化物半導体層の電極

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-152866
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008407
出願日： 1995年06月20日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【目的】 n型窒化物半導体層と好ましいオーミック接触が得られ、さらにワイヤーとも強固に接着できる安定な変質しにくい電極を提供する。【構成】 n型窒化物半導体層の表面に形成されるオーミック電極であって、前記電極はn型窒化物半導体層と接する側がチタンよりなり、その上にクロムおよび/またはニオブを積層した少なくとも2層構造を有する。

請求項（抜粋）：

n型窒化物半導体層の表面に形成されるオーミック電極であって、前記電極はn型窒化物半導体層と接する側がチタンよりなり、その上にクロムおよび/またはニオブを積層した少なくとも2層構造を有することを特徴とするn型窒化物半導体層の電極。

IPC (5件)：

H01S 3/18 , H01L 29/43 , H01L 31/04 , H01L 31/10 , H01L 33/00

FI (6件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 E , H01L 33/00 C , H01L 29/46 H , H01L 31/04 E , H01L 31/10 H

引用特許：

審査官引用 (5件)

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-218595 出願人：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所
発光ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-222627 出願人：旭化成工業株式会社
特開昭60-196937

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