特許
J-GLOBAL ID：200903009665352717

液晶素子製造用ポジ型ホトレジスト組成物およびレジストパターン形成方法

発明者：
加瀬 由美子

加瀬 由美子 について

, 
鈴木 茂

鈴木 茂 について

, 
宮城 賢

宮城 賢 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (5件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-192260
公開番号（公開出願番号）：特開2009-031349
出願日： 2007年07月24日
公開日（公表日）： 2009年02月12日
要約：
【課題】レジスト膜の膜厚の均一性を向上させることができる液晶素子製造用ポジ型ホトレジスト組成物およびレジストパターン形成方法の提供。【解決手段】アルカリ可溶性ノボラック樹脂(A)、ナフトキノンジアジド基含有化合物(C)、有機溶剤(D)、および一般式(E1-0)[式中、Rfは炭素原子数1〜6のフッ素化アルキル基であり、R11は炭素原子数1〜5のアルキレン基または単結合である。]で表される基を含むアルキレンオキサイド鎖を有するフッ素系界面活性剤(E1)を含有することを特徴とする液晶素子製造用ポジ型ホトレジスト組成物。[化1]【選択図】なし
請求項（抜粋）：
アルカリ可溶性ノボラック樹脂(A)、ナフトキノンジアジド基含有化合物(C)、有機溶剤(D)、および下記一般式(E1-0)で表される基を含むアルキレンオキサイド鎖を有するフッ素系界面活性剤(E1)を含有することを特徴とする液晶素子製造用ポジ型ホトレジスト組成物。
IPC (3件)：
G03F 7/004 ,  G03F 7/023 ,  G02F 1/13
FI (4件)：
G03F7/004 504 ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/023 511 ,  G02F1/13 101
Fターム (15件)：
2H025AA18 ,  2H025AB17 ,  2H025AC01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE01 ,  2H025CB29 ,  2H025CC03 ,  2H025CC04 ,  2H025CC20 ,  2H025EA04 ,  2H025FA17 ,  2H088FA19 ,  2H088FA30 ,  2H088MA16 ,  2H088MA20
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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