特許

J-GLOBAL ID：200903009737449559

プラズマエッチング装置用電極板

発明者： 後藤 圭一 ,  川合 信 ,  田村 和義
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-030769
公開番号（公開出願番号）：特開2001-223204
出願日： 2000年02月08日
公開日（公表日）： 2001年08月17日
要約：

【要約】【課題】 エッチング処理中、ガス整流孔へのプラズマの侵入が抑えられ、孔内に反応生成物が付着し難く、クリーニングの回数を低減して、長期間使用することができるとともに、機械的強度も十分なプラズマエッチング装置用電極板を提供する。【解決手段】 プラズマエッチング装置の上部電極として使用される複数のガス整流孔が設けられた電極板であって、前記ガス整流孔2の孔径が、ガス導入側の孔径をd1、ガス噴出側の孔径をd2、及び隣り合うガス整流孔の中心間距離をLとしたとき、d2<d1<L/2となるように形成されている。好ましくは、ガス整流孔の噴出側の孔径が、0.1〜1.5mmであって、電極板1はシリコンから作られ、その比抵抗が、0.001〜50Ω・cmである。

請求項（抜粋）：

プラズマエッチング装置の上部電極として使用される複数のガス整流孔が設けられた電極板であって、前記ガス整流孔の孔径が、ガス導入側の孔径をd1、ガス噴出側の孔径をd2、及び隣り合うガス整流孔の中心間距離をLとしたとき、d2<d1<L/2となるように形成されていることを特徴とするプラズマエッチング装置用電極板。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31

FI (4件)：

C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/302 C

Fターム (24件)：

4K057DA01 ,  4K057DB06 ,  4K057DD01 ,  4K057DM03 ,  4K057DM06 ,  4K057DM09 ,  4K057DM37 ,  4K057DN01 ,  5F004AA01 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BB13 ,  5F004BB28 ,  5F004BB29 ,  5F045BB01 ,  5F045DP03 ,  5F045EB03 ,  5F045EB05 ,  5F045EB06 ,  5F045EF05 ,  5F045EF08 ,  5F045EF11 ,  5F045EF14 ,  5F045EH13

引用特許：

出願人引用 (3件)

• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-140031   出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
• プラズマ装置用電極の製造方法及びプラズマ装置用電極
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-275331   出願人：信越化学工業株式会社
• プラズマエッチング用電極
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-178178   出願人：日立化成工業株式会社

審査官引用 (2件)

• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-140031   出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
• プラズマ装置用電極の製造方法及びプラズマ装置用電極
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-275331   出願人：信越化学工業株式会社