特許
J-GLOBAL ID：200903009746263310

気相成長装置、III族窒化物半導体基板の製造方法、III族窒化物半導体基板

発明者：
山内 敦典

山内 敦典 について


出願人/特許権者：
古河機械金属株式会社

古河機械金属株式会社 について


代理人 (1件)： 速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-225055
公開番号（公開出願番号）：特開2007-039274
出願日： 2005年08月03日
公開日（公表日）： 2007年02月15日
要約：
【課題】 優れた膜質の膜を成膜することができ、さらには、膜厚の制御性に優れた気相成長装置を提供すること。【解決手段】反応ガス生成部11と、反応部15との間には配管17が配置されている。また、配管17のバルブ171よりも反応ガス生成部11側には、配管18が接続されている。配管17により、反応ガス供給路R1が形成される。この反応ガス供給路R1は、反応ガス生成部11〜13で生成した反応ガスを反応部15に供給するため経路である。配管17および配管18により、排気経路R2が形成される。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
反応ガスを生成する反応ガス生成部と、 前記反応ガス生成部で生成した反応ガスと、この反応ガスとは異なる他の反応ガスとを反応させて、基板上に膜を成膜する反応部と、 前記反応ガス生成部で生成した前記反応ガスを前記反応部に供給するための反応ガス供給路と、 前記反応ガス生成部で生成された前記反応ガスを、前記反応部外に排気する排気経路と、 前記反応ガスの流路を、前記反応ガス供給路又は前記排気経路に切替える切り替え手段とを備えることを特徴とする気相成長装置。
IPC (4件)：
C30B 25/14 ,  C23C 16/455 ,  C30B 29/40 ,  H01L 21/205
FI (4件)：
C30B25/14 ,  C23C16/455 ,  C30B29/40 502D ,  H01L21/205
Fターム (36件)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077BE47 ,  4G077DB05 ,  4G077EG30 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TB04 ,  4G077TH06 ,  4G077TK11 ,  4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA38 ,  4K030DA08 ,  4K030EA03 ,  4K030FA10 ,  4K030KA05 ,  4K030LA14 ,  5F045AA03 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AF09 ,  5F045DP15 ,  5F045DP27 ,  5F045DQ04 ,  5F045EE01
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (3件)

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