特許
J-GLOBAL ID：200903027842245347

III-V族窒化物膜の製造装置及び製造方法

発明者：
柴田 智彦

柴田 智彦 について

, 
浅井 圭一郎

浅井 圭一郎 について

, 
田中 光浩

田中 光浩 について


出願人/特許権者：
日本碍子株式会社

日本碍子株式会社 について


代理人 (1件)： 杉村 興作 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-207785
公開番号（公開出願番号）：特開2002-173393
出願日： 2001年07月09日
公開日（公表日）： 2002年06月21日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】AlClガスによる腐食の影響を除去または軽減して、塩化物気相エピタキシャル法(HVPE法)によって特性が良好な、少なくともAlを含むIII-V族窒化物膜の製造装置及び製造方法を提供する。【解決手段】反応管11の内部に基板12と少なくともアルミニウム金属部材14を保持するボート15、ガリウム金属部材16を保持するボート17とを配置する。導入管18〜20を経て塩化水素ガス及びアンモニアガスをキャリアガスと一緒に導入し、加熱装置23、24によって加熱しながら基板12の表面に、少なくともAlを含むIII-V族窒化物膜をHVPE法によりエピタキシャル成長させる。反応管11全体は、アルミニウム金属部材と塩化水素ガスとの反応で生成される塩化アルミニウムガスによって腐食されない窒化アルミニウムで形成する。
請求項（抜粋）：
反応管の内部の、ガスの流れ方向に見た上流側に少なくともアルミニウム金属を装填すると共に下流側に基板を装填し、外部より塩素系ガスおよびアンモニアガスをキャリアガスと共に内側反応管に導入し、前記アルミニウム金属及び前記塩素系ガスの反応により生成される塩化アルミニウムガスと、アンモニアガスとを反応させて少なくともAlを含む窒化物膜を塩化物気相エピタキシャル成長させるIII-V族窒化物膜の製造装置において、前記反応管の、少なくとも塩化アルミニウムガスと接触する内壁部分を、窒化アルミニウムで形成したことを特徴とするIII-V族窒化物膜の製造装置。
IPC (4件)：
C30B 25/08 ,  C30B 25/16 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/205
FI (4件)：
C30B 25/08 ,  C30B 25/16 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 21/205
Fターム (33件)：
4G077AA03 ,  4G077BE13 ,  4G077DB02 ,  4G077DB05 ,  4G077ED04 ,  4G077ED06 ,  4G077EG25 ,  4G077EH10 ,  4G077TD01 ,  4G077TD03 ,  4G077TD05 ,  4G077TJ18 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF06 ,  5F045AF09 ,  5F045AF20 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DQ06 ,  5F045DQ08 ,  5F045EC02 ,  5F045EC05 ,  5F045GB07
引用特許：
審査官引用 (4件)
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