薄膜トランジスタデバイスおよびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-087324
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286260
出願日： 1999年03月30日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：

【要約】【課題】本発明では、室温から400°Cまでの温度でシリコン上にSiO2膜を成長する方法を提供する。【解決手段】酸化ガスに合わせて希ガスを加え、またRFパワーを印加することにより酸素原子とラジカルを生じ、低温酸化を可能にした。この方法をTFTおよびMOSFETデバイスを製造するために単結晶シリコン、多結晶シリコン、またはアモルファスシリコンの酸化に適用することが出来る。この方法は、同基板上にアモルファスとポリシリコンTFTを形成するために適用することも出来る。

請求項（抜粋）：

希ガスと酸化ガスの混合ガスを流出し、酸素原子とラジカルを含むプラズマを発生するためにRF(無線周波)パワーを加え、それにより酸素原子とラジカルがシリコンと反応してSiO2を形成することを特徴とするSiO2膜の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/316 S , H01L 29/78 617 V , H01L 29/78 627 G

Fターム (20件)：

5F058BA01 , 5F058BB04 , 5F058BB07 , 5F058BC02 , 5F058BF29 , 5F058BF54 , 5F058BF58 , 5F058BF59 , 5F058BF60 , 5F058BF73 , 5F058BH20 , 5F058BJ01 , 5F110FF02 , 5F110FF23 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110PP01 , 5F110PP03 , 5F110PP13 , 5F110QQ09

引用特許：

審査官引用 (5件)

絶縁膜の形成方法とそれを用いた半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-087323 出願人：セイコーエプソン株式会社
半導体製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-175738 出願人：大見忠弘
特開昭61-160943

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