電界効果トランジスタのゲート形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：清水守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-286619
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135240
出願日： 1996年10月29日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：

【要約】【課題】 SiN膜の厚さを変えることなく、結晶成長基板とゲートメタルとの間隔を大きくし、電極間容量を小さくすることができる電界効果トランジスタのゲート形成方法を提供する。【解決手段】 GaAs半導体基板11上にSiN膜12を介して、Ti18\Al19の積層メタル17を蒸着し、熱処理後SiF6 /Heによるエッチングで、SiN膜12を除去し、電極間容量を低減するようにしたものである。したがって、GaAs半導体基板11上のTi18は合金反応のため、ガスに侵されないで残るが、SiN膜12上のTi18はエッチングされることを利用し、FET及びHEMTの容量(Cgs及びCgd)を低減することができる。

請求項（抜粋）：

電界効果トランジスタのゲート形成方法において、化合物半導体基板上にSiN膜を介して、積層メタルを蒸着し、熱処理後SiF6 /Heによるエッチングで前記SiN膜を除去し、電極間容量を低減することを特徴とする電界効果トランジスタのゲート形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 29/778

FI (2件)：

H01L 29/80 F , H01L 29/80 H

引用特許：

審査官引用 (4件)

T字型電極の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-219453 出願人：沖電気工業株式会社
半導体装置の電極形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-287615 出願人：富士通株式会社
特開平2-180031

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