特許

J-GLOBAL ID：200903009774274980

半導体装置の作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  中嶋 節男 ,  宮入 秀和
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-093645
公開番号（公開出願番号）：特開2003-173968
出願日： 2002年03月29日
公開日（公表日）： 2003年06月20日
要約：

【要約】【課題】 TFTを用いて作製するアクティブマトリクス型の液晶表示装置に代表される電気光学装置ならびに半導体装置において、半導体装置の動作特性を向上させ、かつ、低消費電力化を図る。特に、本発明は、オフ電流値が低く、バラツキが抑えられたTFTを得ることを課題とする。【解決手段】酸素を含む雰囲気下で半導体膜104aに第1のレーザー光の照射(エネルギー密度400〜500mJ/cm2)を行って結晶化させた後、第1のレーザー光の照射で形成された酸化膜105aを除去し、その後に酸素を含まない雰囲気下で第2のレーザー光の照射(第1のレーザー光の照射におけるエネルギー密度より高く、ショット数が少ない)を行うことで半導体膜104bの平坦性を向上させる。

請求項（抜粋）：

絶縁表面上に非晶質構造を有する半導体膜を形成する第1工程と、前記半導体膜を加熱処理した後、第1のレーザー光を照射して結晶化を行い、結晶構造を有する半導体膜及び該膜上に酸化膜とを形成する第2工程と、前記酸化膜を除去する第3工程と、不活性気体雰囲気または真空中で第2のレーザー光を照射して前記半導体膜の表面を平坦化する第4工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (7件)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/322 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (8件)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/268 F ,  H01L 21/268 G ,  H01L 21/322 G ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 627 Z ,  H01L 21/26 F

Fターム (109件)：

2H092GA29 ,  2H092HA28 ,  2H092JA26 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JA46 ,  2H092JB58 ,  2H092KA05 ,  2H092KA10 ,  2H092KB25 ,  2H092MA15 ,  2H092MA17 ,  2H092MA27 ,  2H092MA29 ,  2H092MA30 ,  2H092NA21 ,  5F052AA02 ,  5F052AA17 ,  5F052AA24 ,  5F052BA02 ,  5F052BA07 ,  5F052BB02 ,  5F052BB05 ,  5F052BB07 ,  5F052CA07 ,  5F052CA08 ,  5F052DA02 ,  5F052DA03 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB07 ,  5F052EA15 ,  5F052EA16 ,  5F052FA06 ,  5F052FA19 ,  5F052JA01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE23 ,  5F110EE44 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF12 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110PP40 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ23 ,  5F110QQ25 ,  5F110QQ28

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体薄膜、半導体装置および半導体薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-255644   出願人：シャープ株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-232546   出願人：富士通株式会社
• 薄膜半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-086458   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体膜の作製方法及び半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-205346   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体薄膜の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-032872   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所