半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-232546
公開番号（公開出願番号）：特開2001-060551
出願日： 1999年08月19日
公開日（公表日）： 2001年03月06日
要約：

【要約】【課題】表面の凹凸の少ない多結晶シリコン膜を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】下地基板の表面上に多結晶シリコンからなる第1の層を形成する。第1の層の表面を、酸化シリコンをエッチングする環境下に置く。第1の層の表面が酸化シリコン膜で覆われている場合には、その酸化シリコン膜が除去される。第1の層に、シリコン結晶の再成長が起こるエネルギを与える。第1の層内でシリコンの固相成長が起こり、表面が平坦化される。

請求項（抜粋）：

下地基板の表面上に多結晶シリコンからなる第1の層を形成する工程と、前記第1の層の表面を、酸化シリコンをエッチングする環境下に置き、該第1の層の表面が酸化シリコン膜で覆われている場合には、その酸化シリコン膜を除去する工程と、前記第1の層に、シリコン結晶の再成長が起こるエネルギを与える工程とを有する半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/20 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 21/20 , H01L 29/78 627 G

Fターム (50件)：

5F052AA02 , 5F052AA11 , 5F052BA02 , 5F052BA07 , 5F052BB07 , 5F052CA08 , 5F052DA01 , 5F052DA02 , 5F052DB03 , 5F052EA11 , 5F052EA12 , 5F052EA16 , 5F052HA01 , 5F052JA01 , 5F110AA18 , 5F110BB02 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110EE01 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG45 , 5F110GG58 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL01 , 5F110HL04 , 5F110HL11 , 5F110HM15 , 5F110NN01 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110PP03 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP10 , 5F110PP13 , 5F110PP29 , 5F110PP38 , 5F110QQ09 , 5F110QQ10 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (17件)

半導体膜の製造方法、薄膜トランジスタの製造方法、アクティブマトリクス基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-146394 出願人：セイコーエプソン株式会社
多結晶シリコン薄膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-248728 出願人：カシオ計算機株式会社
特開平2-081422

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