特許
J-GLOBAL ID：200903009784554034
パターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-334182
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142368
出願日： 2001年10月31日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
要約：
【要約】【課題】 レジストパターンにパターン倒れが発生しないようにする。【解決手段】 パターン露光されたレジスト膜11に対して、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(アミン化合物)がイソプロピルアルコール(第1のアルコール)に溶解してなるアルカリ性現像液により現像を行なった後、イソプロピルアルコール(第2のアルコール)よりなるリンス液によりリンスを行なう。次に、パターン化されたレジスト膜11Aを超臨界流体17中で保持することにより、パターン化されたレジスト膜11Aに付着しているリンス液14を超臨界流体17と置換して乾燥させる。
請求項（抜粋）：
レジスト膜に対して露光光を選択的に照射してパターン露光を行なう露光工程と、パターン露光された前記レジスト膜に対して現像、リンス及び乾燥を行なってレジストパターンを形成するパターン形成工程とを備えたパターン形成方法であって、前記パターン形成工程は、アミン化合物及び第1のアルコールを含む現像液を用いて現像を行なう工程と、第2のアルコールを含むリンス液を用いてリンスを行なう工程と、超臨界流体中で乾燥を行なう工程とを有していることを特徴とするパターン形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/32 501
G03F 7/32 501
, H01L 21/30 569 F
2H096AA25
, 2H096GA08
, 2H096GA09
, 2H096GA18
, 2H096GA20
, 2H096LA30
, 5F046LA12
, 5F046LA14
, 5F046LA19
