特許

J-GLOBAL ID：200903009793466709

研磨用スラリーおよび研磨方法

発明者： 藤田 隆 ,  石倉 美奈子 ,  河井 奈緒子 ,  森岡 善隆
出願人/特許権者： 株式会社東京精密 ,  ニッタ・ハース株式会社
代理人 (1件)： 岡田 和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-047571
公開番号（公開出願番号）：特開2006-231436
出願日： 2005年02月23日
公開日（公表日）： 2006年09月07日
要約：

【課題】 研磨パッドの目詰まりを低減して研磨レートの低下を抑制できるようにする。 【解決手段】 研磨砥粒として、表面のシラノール基(Si-OH)の単位面積当たりの数(counts/nm2)が、1以上9以下であるシリカ砥粒10を含有する研磨用スラリー3を用いて研磨を行うようにしており、従来のシリカ砥粒に比べて、シラノール基の数が少ないので、シラノール基と研磨パッド2の極性基との結びつきを抑制して研磨パッド2の目詰まりを低減している。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

研磨砥粒を含有する研磨用スラリーであって、 前記研磨砥粒がシリカ砥粒であって、該シリカ砥粒は、表面のシラノール基の単位面積当たりの数(counts/nm2)が、1以上9以下であることを特徴とする研磨用スラリー。

IPC (3件)：

B24B 37/00 ,  C09K 3/14 ,  H01L 21/304

FI (3件)：

B24B37/00 H ,  C09K3/14 550D ,  H01L21/304 622D

Fターム (6件)：

3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058AA19 ,  3C058CB05 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 化学的機械的研磨用スラリーおよびこれを用いた半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-362607   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (4件)

• 特開平4-063428
  
• 化学機械的研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-403101   出願人：NECエレクトロニクス株式会社
• 固定砥粒研磨パッド,及び固定砥粒研磨パッドを使用したシリコンウェハの研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-133965   出願人：株式会社ディスコ
• 特開平4-063428