特許
J-GLOBAL ID：200903009810854777
半導体記憶装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-145566
公開番号（公開出願番号）：特開平10-056156
出願日： 1997年06月03日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：
【要約】【課題】 半導体記憶装置のスタックトキャパシタの形成工程において、電極の下部に堆積される絶縁膜をエッチングすることなしに、電極の形状加工に用いる膜を除去する。【解決手段】 スタックトキャパシタの電極18*の形状加工に用いる膜としてTiNまたはW等の高融点金属膜19を用い、電極18*の形状を形成した後、高融点金属膜19を、硫酸、硝酸、塩酸、燐酸、過酸化水素水またはアンモニアのうち少なくとも一つを含む溶液を用いたウェットエッチングにより除去する。このとき、電極18*の下部に堆積しているシリコン酸化膜または不純物を含むシリコン酸化膜からなる絶縁膜16はエッチングされない。
請求項（抜粋）：
半導体記憶装置のスタックトキャパシタの形成工程において、該スタックトキャパシタの電極の形状加工に用いる膜が高融点金属膜であることを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 21/28 301
, H01L 21/3205
H01L 27/10 621 A
, H01L 21/28 301 R
, H01L 21/88 B
, H01L 27/10 621 C
