特許
J-GLOBAL ID:200903009846317760

真空センサ及び真空センサの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 木下 茂 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-173121
公開番号(公開出願番号):特開平11-006778
出願日: 1997年06月13日
公開日(公表日): 1999年01月12日
要約:
【要約】【課題】 1つのダイヤフラム電極を備え、そのダイヤフラム電極によって広範な圧力を測定することができる真空センサ及びその真空センサの製造方法を提供する。【解決手段】 第1の基体2と、圧力を測定する気体が導入される導入孔3dが形成された第2の基体3と、前記第1の基体2と第2の基体3との間に介装され、第1の基体2と第2の基体3との間に空間を形成する第3の基体4と、第1の基体2と第2の基体3の間に配置され前記空間を測定室Aと真空室Bとに区画するダイヤフラム電極5と、前記第1の基体2の上面に前記ダイヤフラム電極5に対向して形成された第1の固定電極6と、前記第2の基体3の上面に前記ダイヤフラム電極5に対向して形成された第2の固定電極10と、第2の固定電極10に電圧を印加する電圧印加手段を備え、前記ダイヤフラム電極5と前記第1の固定電極6間の静電容量が一定となるように、第2の固定電極10に電圧を印加し、前記電圧から圧力を測定することを特徴とする。
請求項(抜粋):
第1の基体と、圧力を測定する気体が導入される導入孔が形成された第2の基体と、前記第1の基体と第2の基体との間に介装され、第1の基体と第2の基体との間に空間を形成する第3の基体と、第1の基体と第2の基体の間に配置され前記空間を測定室と真空室とに区画するダイヤフラム電極と、前記第1の基体の上面に前記ダイヤフラム電極に対向して形成された第1の固定電極と、前記第2の基体の上面に前記ダイヤフラム電極に対向して形成された第2の固定電極と、第2の固定電極に電圧を印加する電圧印加手段を備え、前記ダイヤフラム電極と前記第1の固定電極間の静電容量が一定となるように、第2の固定電極に電圧を印加し、前記電圧から圧力を測定することを特徴とする真空センサ。
IPC (3件):
G01L 7/00 ,  G01L 9/12 ,  H01L 29/84
FI (3件):
G01L 7/00 J ,  G01L 9/12 ,  H01L 29/84 Z
引用特許:
審査官引用 (5件)
  • 静電容量式圧力センサ
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-204325   出願人:山武ハネウエル株式会社
  • 真空センサ
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-134333   出願人:株式会社リケン, 江刺正喜
  • 静電容量式センサ
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-139481   出願人:オムロン株式会社
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