特許
J-GLOBAL ID：200903009884048209

エッチング方法及び半導体装置の製造方法

発明者：
伊藤 浩之

伊藤 浩之 について

, 
北島 洋

北島 洋 について

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大戸 秀

大戸 秀 について

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山田 健二

山田 健二 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体先端テクノロジーズ

株式会社半導体先端テクノロジーズ について

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三菱瓦斯化学株式会社

三菱瓦斯化学株式会社 について


代理人 (3件)： 高田 守 ,  高橋 英樹 ,  大塚 環
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-307227
公開番号（公開出願番号）：特開2005-079316
出願日： 2003年08月29日
公開日（公表日）： 2005年03月24日
要約：
【課題】 素子分離領域あるいはSi基板のエッチングを抑えつつ、High-k膜のエッチングを行う。【解決手段】 下層基板上に形成された酸化ハフニウム、あるいは、酸化ジルコニウム系の材料からなる膜をエッチングする際に、エッチング液として、フッ素化合物及び有機酸を含む水溶液を用いる。また、ゲート絶縁膜として、酸化ジルコニウム系、あるいは、酸化ハフニウム系の材料からなる膜を用いた場合に、ゲート電極加工の際、このエッチング方法により、このゲート絶縁膜のエッチングを行う。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
下層基板上に形成された酸化ハフニウム系、あるいは、酸化ジルコニウム系の材料からなる膜をエッチングする際に、 エッチング液として、有機酸及びフッ素化合物を含む水溶液を用いることを特徴とするエッチング方法。
IPC (2件)：
H01L21/308 ,  H01L29/78
FI (2件)：
H01L21/308 E ,  H01L29/78 301G
Fターム (23件)：
5F043AA37 ,  5F043BB25 ,  5F043GG10 ,  5F140AA26 ,  5F140AA39 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD05 ,  5F140BD11 ,  5F140BE09 ,  5F140BE14 ,  5F140BE16 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BG08 ,  5F140BG38 ,  5F140BG39 ,  5F140BG45 ,  5F140BH14 ,  5F140BK01 ,  5F140BK09 ,  5F140CB08
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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