特許
J-GLOBAL ID：200903090870488763
エッチング剤及びエッチング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-207819
公開番号（公開出願番号）：特開2005-064064
出願日： 2003年08月19日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：
【課題】次世代の半導体において絶縁材料として用いられる酸化ジルコニウム及び/又は酸化ハフニウムは、耐エッチング性が高いため、周辺の他の半導体材料を侵すことなくエッチングすることが出来なかった。【解決手段】フッ化水素酸、多価カルボン酸及び過酸化水素水を含んでなるエッチング剤では、酸化ケイ素、シリコン等の半導体材料を侵すことなく、酸化ジルコニウム及び/又は酸化ハフニウムを溶解することができる。またフッ化水素酸、多価カルボン酸及び過酸化水素水に無機酸を加えると特にエッチング速度が高められる。
請求項（抜粋）：
フッ化水素酸、多価カルボン酸及び過酸化水素水を含んでなる酸化ジルコニウム及び/又は酸化ハフニウムのエッチング剤。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/308 E
, H01L21/304 647Z
5F043AA37
, 5F043BB25
, 5F043FF10
, 5F043GG10
