特許
J-GLOBAL ID:200903092258155065
高誘電率薄膜エッチング剤組成物
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
永井 隆
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-084472
公開番号(公開出願番号):特開2004-296593
出願日: 2003年03月26日
公開日(公表日): 2004年10月21日
要約:
【課題】高誘電率薄膜を用いた半導体装置、特にMOSFETの高集積化と高速化に不可欠な極薄ゲート絶縁膜層、ゲート電極を用いた半導体装置の製造工程に使用される高誘電率薄膜エッチング剤組成物を提供する。【解決手段】酸化剤、キレート剤および水溶性フッ素化合物を含有する水溶液である高誘電率薄膜のエッチング剤組成物。
請求項(抜粋):
酸化剤、キレート剤および水溶性フッ素化合物を含有する水溶液である高誘電率薄膜のエッチング剤組成物。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (3件):
5F043AA37
, 5F043BB25
, 5F043GG10
引用特許: